Tahiti II

大型生产型原子层沉积系统(3代面板以上)

2017年01月01日

Phoenix G2.5

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等离子体

  

应用领域:

芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、锂电池、太阳能电池、生物医学仿生、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等。

功能特点:

1)超大型生产型原子层沉积系统

2)支持3代、4代、4.5代、5代、5.5代、6代和7代面板尺寸

技术参数及指标:

基片尺寸550mm×650mm、550mm×660mm、550mm×670mm(G3代面板)
620mm×750mm、650mm×830mm、680mm×880mm(G4代面板)
730mm×920mm(G4.5代面板)
1000mm×1200mm、1100mm×1250mm、1100mm×1300mm、1150mm×1300mm(G5代面板)
1300mm×1300mm(G5.5代面板)
1470mm×1770mm、1500mm×1800mm、1500mm×1820mm、1800mm×2000mm(G6代面板)
2160mm×2460mm(G7代面板)
沉积均匀性(Al2O3)<2%
前驱通道标配4路,可扩展至6路,每路均可通固、液、气前驱物,各路均可独立加热至 200℃
工业级ALD专用快速阀门,响应时间10ms
钢瓶容积1.6L(装800ml)
运载气体N2气或Ar气,MFC控制,200-2000sccm  
工作电源220VAC,3相,36KW
操作系统WindowsTM PC
机柜排气柜装有烟雾报警器
外观尺寸(W x D x H)2530 x 1422 x 2972 mm(G5.5代)
兼容性100级洁净室
质量认证CE,TUV,FCC
系统选配Ozone Generator
Glove Box Interface
LVPD
Semi-Automatic or Automated Loader
SECS/GEM跟主机通讯接口

可沉积膜层:   

氧化物:Al2O3,HfO,La2O3,SiO2,TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3,CeOx,BaO,Ga2O3,NiO,SrO 

氮化物:WN, Hf3N4, Zr3N4, AlN, TiN, NbNx,TaN,CoN,SiN,MnN,NbTiN,InN, 

硫化物:ZnS,MoS2, WS2,VS2    

金   属:Ru, Pt, W, Ni, Fe, Co, Mn, Cu    

复合物:AZO, ITO, ATO, ZnOS, HfSiON, LiMnOx,MgZn1Ox,SiON

有机物: FOTS, FDTS, Thiols    

操控界面:专业化、人性化、开放化

通过GUI操控界面可以实现参数设置、系统动态监控、数据记录、存储与显示,用户可以自编程。



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