Phoenix G2.5

生产型原子层沉积系统

2017年01月01日

Fiji G2 F200 PEALD

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Tahiti II

应用领域:

芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、3D涂层、锂电池、催化剂、太阳能电池、生物医学仿生、荧光材料、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等。

功能特点:

1)批量生产型原子层沉积系统

2)简洁易操作上下片接口

3)预装包括二维材料的各种膜层工艺配方

4)大尺寸沉积室,基片尺寸可达2.5代面板尺寸

5)内置安全手套箱接口

技术参数及指标:

基片尺寸最大370mm×470mm(G2.5面板)
100 wafers - 100 mm (cassette)      
100 wafers - 150 mm (cassette)
100 wafers - 200 mm (cassette)
25 wafers - 300 mm (cassette)
对于其他3D工件可以定制
基片温度可加热285℃
沉积均匀性(Al2O3)<2%
沉积室容积(W x D x H)500 mm x 400 mm x 240 mm
前驱通道标配4路,可扩展至6路,每路均可通固、液、气前驱物,各路均可独立加热至 200℃
工业级ALD专用快速阀门,响应时间10ms
钢瓶容积3.1L或600ml
运载气体N2气或Ar气,MFC控制    
真空泵干泵,≥350CFM
工作电源208VAC,3相,8500W(不含泵)
操作系统WindowsTM PC
机柜排气柜装有烟雾报警器
外观尺寸(W x D x H)900 mm x 1370 mm x 1700 mm
兼容性100级洁净室
质量认证CE,TUV,FCC
系统选配Ozone Generator(200L/g)
Glove Box Interface
LVPD
Semi-Automatic or Automated Loader
SECS/GEM跟主机通讯接口

可沉积膜层:   

氧化物:Al2O3,HfO,La2O3,SiO2,TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3,CeOx,BaO,Ga2O3,NiO,SrO 

氮化物:WN, Hf3N4, Zr3N4, AlN, TiN, NbNx,TaN,CoN,SiN,MnN,NbTiN,InN, 

硫化物:ZnS,MoS2, WS2,VS2    

金   属:Ru, Pt, W, Ni, Fe, Co, Mn, Cu    

复合物:AZO, ITO, ATO, ZnOS, HfSiON, LiMnOx,MgZn1Ox,SiON

有机物: FOTS, FDTS, Thiols    

操控界面:专业化、人性化、开放化

通过GUI操控界面可以实现参数设置、系统动态监控、数据记录、存储与显示,用户可以自编程。




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