Fiji G2 F200 PEALD

远程等离子体增强原子层沉积系统

2017年01月01日

Savannah G2 S200 PEALD

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Phoenix G2.5

 

应用领域:

芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、3D涂层、锂电池、催化剂、太阳能电池、生物医学仿生、荧光材料、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等。

功能特点:

1)采用热法和等离子法制备原子层纳米级薄膜沉积:

     -可以沉积有机物材料,做表面亲疏水性处理

     -可以沉积低饱和蒸气压材料

2)涡轮分子泵抽气系统

3)先进的等离子体设计

4)人性化的操作界面

5)可增加在线椭偏仪和QCM检测

6)可扩展臭氧发生器

7)可集成手套箱设备

8)可增加Load Lock

技术参数及指标:

工作模式Continuous ModeTM(传统热法ALD)
Exposure ModeTM(高深宽比ALD)
Plasma ModeTM(PEALD)
基片尺寸最大200mm(8")
基片温度标配200mm基片尺寸,可加热500℃
选配100mm基片尺寸,可加热800℃
沉积均匀性(Al2O3)<1.5%(1σ)热法
<1.5%(1σ)等离子法
前驱通道标配4路,可扩展至6路,每路均可通固、液、气前驱物,各路均可独立加热至 200℃
工业级ALD专用快速阀门,响应时间10ms
标配50ml不锈钢钢瓶,可以选配更大容量
运载气体100sccm Ar气,MFC控制    
200sccm Ar气等离子体,MFC控制
100sccm N2气等离子体, MFC控制
100sccm O2气等离子体,MFC控制
100sccm H2气等离子体, MFC控制
真空泵干泵,>50CFM
工作电源220-240VAC,4500W(不含泵)
操作系统LabviewTM,WindowsTM7,Lenovo Laptop PC
外观尺寸(W x D x H)1600 x 715 x 1920mm
外观尺寸(W x D x H)(含load lock)1845 x 715 x 1920mm
兼容性100级洁净室
质量认证CE,TUV,FCC
系统选配椭偏仪接口
QCM
RGA接口
OES光电直读光谱仪
Wafer Plus
Ozone Generator
Glove Box Interface
LVPD
Load Lock


可沉积膜层:   

氧化物:Al2O3,HfO,La2O3,SiO2,TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3,CeOx,BaO,Ga2O3,NiO,SrO 

氮化物:WN, Hf3N4, Zr3N4, AlN, TiN, NbNx,TaN,CoN,SiN,MnN,NbTiN,InN, 

硫化物:ZnS,MoS2, WS2,VS2    

金   属:Ru, Pt, W, Ni, Fe, Co, Mn, Cu    

复合物:AZO, ITO, ATO, ZnOS, HfSiON, LiMnOx,MgZn1Ox,SiON

有机物: FOTS, FDTS, Thiols    

操控界面:专业化、人性化、开放化

通过GUI操控界面可以实现参数设置、系统动态监控、数据记录、存储与显示,用户可以自编程。




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