Savannah G2 S200 PEALD

等离子增强原子层沉积系统

2017年01月01日

Savannah G2

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Fiji G2 F200 PEALD

应用领域:

芯片封装、半导体High-k介电层、纳米涂层、3D涂层、锂电池、催化剂、太阳能电池、生物医学仿生、荧光材料、OLED显示、有机材料、电子电路、光学膜等。

功能特点:

1)采用热法和等离子法制备原子层纳米级薄膜沉积:

     -可以沉积有机物材料,做表面亲疏水性处理

     -可以沉积纳米粉末或颗粒物

     -可实现低饱和蒸气压材料沉积

2)一个循环周期小于2秒钟

3)可增加在线椭偏仪和QCM检测

4)可扩展臭氧发生器

5)可集成手套箱设备

技术参数及指标:

参数名称参数值
基片尺寸8"
薄膜均匀性≤±1%(Al2O3)
循环周期<2s
可加热温度350℃
腔体材质304不锈钢
颗粒尺寸最小50nm
承载器容积5cm3(10g,密度2g/cm3)
搅拌器转速转速可调,最大转速200rpm
前驱体通道标配2路(可扩展至6路)
快速阀门Swagelock,响应时间10ms
真空泵防腐蚀Alcatel 2021C2,24.8m3/h,0.2Pa
吸收阱防污染Heated(300C)Vapor Trap,可加热300℃
等离子体CCP等离子源,功率0-300W可调,13.56MHz
工作模式高速连续模式和曝光模式
运载气体N2,流量可调,0-100sccm
供电电源100-220VAC,50-60Hz,1500W
操作系统LabVIEW™,Windows™ 7, Lenovo Laptop,USB接口
外观尺寸38” (97 cm) x 22” (56 cm) x 38” (97 cm)
质量认证CE,TUV,FCC

可沉积膜层:   

氧化物:Al2O3,HfO,La2O3,SiO2,TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3,CeOx    

氮化物:WN, Hf3N4, Zr3N4, AlN, TiN, NbNx,TaN,CoN,SiN,MnN,NbTiN    

硫化物:ZnS,MoS2, WS2,VS2    

金   属:Ru, Pt, W, Ni, Fe, Co, Mn, Cu    

复合物:AZO, ITO, ATO, ZnOS, HfSiOn, LiMnOx    

有机物: FOTS, FDTS, Thiols    

操控界面:专业化、人性化、开放化

通过LabView操控界面可以实现参数设置、系统动态监控、数据记录、存储与显示,用户可以自编程。




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