分子束/激光分子束外延生长设备MBE/Laser MBE

v  功能特点

ü  样品尺寸4~6寸,温度900℃,最大1100℃（2寸以下）

ü  本底真空1E-10Torr，配置低温泵和分子泵

ü  10个束源炉，最大容量40cc，可以配置等离子增强型束源炉及电子回旋共振束源炉

ü  配备晶振、束流监控器、高能电子枪以及监控软件

ü  PBN加热器

ü  4轴加热样品台，可旋转、XYZ方向均可移动

ü  手动或自动LoadLock上下片系统

v  生长材料

二维材料以及拓扑材料、氧化物等，如III-V 族,II-VI 族,Si/SiGe ,金属与金属氧化物及GaN,AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN,CIGS，OLED 等