半导体器件专用镀膜设备

v  功能特点

ü基片台：刻蚀/偏压，加热/冷却，可以旋转

ü有效镀膜区域：最大8”(200mm)

ü真空室空间小，工艺周期短

ü容纳不同形状基片和尺寸

ü共焦阴极排列，最多允许4组阴极

ü阴极尺寸：2”(50mm)、3”(75mm)、4”(100mm)

ü阴极角度可调

ü内置阴极挡板

ü顺序溅射或共同溅射模式

ü离子源辅助沉积或样品清洗功能

ü在线膜厚检测仪

ü低温泵系统/分子泵系统

ü先进的LOAD-LOCK样品上下片系统

ü全自动化集中控制

ü允许多种工艺气体

ü直流、脉冲直流、射频（高频或中频）电源