离子束溅射沉积/离子束刻蚀设备IBSD/IBE

v  功能特点

ü  本底真空-8Torr-10Torr

ü 四轴样品台，XYZ方向均可调节，可倾斜，可旋转

ü  多靶位靶材台，带水冷，支持多4个靶位，可旋转切换靶位

ü  RFICP射频离子源

ü霍尔或考夫曼辅助离子源

ü  双掩膜Dual mask

ü  UpStream/Downstream控制

ü  膜厚监控仪

ü  可增加OES等离子发射光谱仪定性分析等离子成分

ü  可增加RGA四极质谱仪

ü  可集成磁控溅射阴极，实现磁控溅射镀膜功能

ü  可增加进样室，手动/自动上下片基片

ü  可实现离子束沉积、离子束刻蚀和磁控溅射多功能系统

（可根据客户要求定制）