原子层沉积直写系统是为材料和工艺创新而设计的原子层加工设备，具有原子精度，它可以很好的实现局部区域直接原子层生长，该技术利用了一种专有的微量化学物质ALD反应器，实现无与伦比的控制和灵活性，应用在材料沉积、蚀刻和掺杂工艺中，可以根据设定的图形Pattern和区域进行精确的原子层薄膜生长，该技术支持在宽范围内直接图案化生长，如半导体（Si，SiC、GaAs、蓝宝石、InP、SiGe、Ge）、玻璃、聚合物、陶瓷和金属等薄膜材料。

ICPECVD感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统是在单基片上沉积氧化硅、氮氧硅或氮化硅的 PECVD 平台。特别的感应耦合等离子体源 PTSA 200（平板三螺旋天线）生成高离解的等离子体。它由 13.56 MHz 的射频功率源驱动、可在很 低的等离子体势能下、产生高达 1E+12 cm-3 的等离子密度。