ICPECVD感应耦合等离子体增强化学气相沉积系统

• 用于在基片上生长沉积氧化硅、氮氧硅或氮化硅薄膜
• 技术指标参数：

              -样品尺寸:最大8吋，向下兼容6吋、4吋和碎片。不同尺寸样品之间的切换、无需开腔、无需破真空

         -ICP源:平板三螺旋PTSA, RF 13.56MHz, 功率1100W，可产生高达1E+12 cm-3的高密度等离子体

         -最小离子能量:10 eV

         -上、下电极间距：电动可调

         -下电极射频偏压ICP源：频率 13.56 MHz，最大功率 300 W，用于沟槽填充

         -下电极温度范围：室温~+300℃

         -温度控制精度：±1℃

         -本底真空：< 1E-6 mbar(7.5E-7 Torr)

         -反应腔漏率：< 2E-4 mbarl/s(0.2 mTorr/min)

         -工艺气路:7路，Ar,O2,CF4,H2,PN2,NH3,SiH4

         -背冷气体：2路，He氦气和吹扫GN2

         -低应力厚膜沉积能力:> 30 um

         -击穿场强（SiO2):6-8 MV/cm

         -氢含量（SiN钝化层）：< 10%

         -高真空系统：磁悬浮涡轮分子泵ATH1600MT，抽速1360L/S

         -前级干泵系统：德国普发 A 124 H，抽速110m3/h

         -全自动Loadlock进样：ACP15干泵系统

         -工艺阀门：VAT快速蝶阀

         -真空测量系统：薄膜电容规、潘宁规和皮拉尼规

         -8吋铝制托盘，直接背氦冷却

         -8吋背氦冷却夹具，用于6吋，4吋硅片

         -控制硬件：控制柜，可编程逻辑控制器PLC+现场总线Interbus

         -控制软件：SENTECH 等离子工艺操作软件

         -光发射谱OES 终点检测装置：用于干法清腔工艺的终点检测  

• 人机交互界面

• 填充工艺